Characterization of energy levels related to impurities in epitaxial 4H-SiC ion implanted p+n junctions / DAVID MENICHELLI; MONICA SCARINGELLA; FRANCESCO MOSCATELLI; M. BRUZZI; ROBERTA NIPOTI. - In: DIAMOND AND RELATED MATERIALS. - ISSN 0925-9635. - STAMPA. - 16:(2007), pp. 6-11.

Characterization of energy levels related to impurities in epitaxial 4H-SiC ion implanted p+n junctions

MENICHELLI, DAVID;SCARINGELLA, MONICA;BRUZZI, MARA;
2007

2007
16
6
11
DAVID MENICHELLI; MONICA SCARINGELLA; FRANCESCO MOSCATELLI; M. BRUZZI; ROBERTA NIPOTI
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