Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures / M. GURIOLI; M. ZAMFIRESCU; A. VINATTIERI; S. SANGUINETTI; E. GRILLI; M. GUZZI; S. MAZZUCATO; A. POLIMENI; M. CAPIZZI; L. SERAVALLI; P. FRIGERI; S. FRANCHI. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - STAMPA. - 100:(2006), pp. 084313-1-084313-4.

Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures

GURIOLI, MASSIMO;VINATTIERI, ANNA;
2006
2006
100
084313-1
084313-4
M. GURIOLI; M. ZAMFIRESCU; A. VINATTIERI; S. SANGUINETTI; E. GRILLI; M. GUZZI; S. MAZZUCATO; A. POLIMENI; M. CAPIZZI; L. SERAVALLI; P. FRIGERI; S. FRANCHI
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