Space charge sign inversion investigation in n-type MCz silicon diodes irradiated by 24 GeV/c and 26 MeV protons and reactor neutrons / N. Manna; D. Bassignana; M. Boscardin; L. Borrello; M. Bruzzi; D. Creanza; M. de Palma; V. Eremin; A. Macchiolo; D. Menichelli; A. Messineo; V. Radicci; M. Scaringella; E. Verbiskaya. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - STAMPA. - 583:(2007), pp. 87-90.

Space charge sign inversion investigation in n-type MCz silicon diodes irradiated by 24 GeV/c and 26 MeV protons and reactor neutrons

BRUZZI, MARA;MENICHELLI, DAVID;SCARINGELLA, MONICA;
2007

2007
583
87
90
N. Manna; D. Bassignana; M. Boscardin; L. Borrello; M. Bruzzi; D. Creanza; M. de Palma; V. Eremin; A. Macchiolo; D. Menichelli; A. Messineo; V. Radicci; M. Scaringella; E. Verbiskaya
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in FLORE sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificatore per citare o creare un link a questa risorsa: https://hdl.handle.net/2158/341175
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 6
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 6
social impact