High-voltage breakdown studies on Si microstrip detectors

Albergo, S.; Angarano, M. M.; Azzi, P.; Babucci, E.; Bacchetta, N.; Bader, A.; Bagliesi, G.; Basti, A.; Biggeri, U.; Bilei, G. M.; Bisello, D.; Boemi, D.; Bosi, F.; Borrello, L.; Bozzi, C.; Braibant, S.; Breuker, H.; Bruzzi, Mara; Buffini, A.; Busoni, S.; Calefato, G.; Candelori, A.; Caner, A.; Castaldi, R.; Castro, A.; Catacchini, E.; Checcucci, B.; Ciampolini, P.; Civinini, C.; Creanza, D.; D'Alessandro, Raffaello; Rold, M. D.; Demaria, N.; Palma, M. d.; Dell'Orso, R.; Marina, R. D.; Dutta, S.; Eklund, C.; Elliott Peisert, A.; Feld, L.; Fiore, L.; Focardi, Ettore; French, M.; Freudenreich, K.; Furtjes, A.; Giassi, A.; Giorgi, M.; Giraldo, A.; Glessing, B.; W. H., Gu; Hall, G.; Hammerstrom, R.; Hebbeker, T.; Hrubec, J.; Huhtinen, M.; Kaminsky, A.; Karimaki, V.; Koenig, S.; Krammer, M.; Lariccia, P.; Lenzi, M.; Loreti, M.; Luebelsmeyer, K.; Lustermann, W.; Mattig, P.; Maggi, G.; Mannelli, M.; Mantovani, G.; Marchioro, A.; Mariotti, C.; Martignon, G.; Evoy, B. M.; Meschini, M.; Messineo, A.; My, S.; Paccagnella, A.; Palla, F.; Pandoulas, D.; Papi, A.; Parrini, G.; Passeri, D.; Pieri, M.; Piperov, S.; Potenza, R.; Radicci, V.; Raffaelli, F.; Raymond, M.; Santocchia, A.; Schmitt, B.; Selvaggi, G.; Servoli, L.; Sguazzoni, G.; Siedling, R.; Silvestris, L.; Skog, K.; Starodumov, A.; Stavitski, I.; Stefanini, G.; Tempesta, P.; Tonelli, G.; Tricomi, A.; Tuuva, T.; Vannini, C.; Verdini, P. G.; Viertel, G.; Xie, Z.; Y. H., Li; Watts, S.; Wittmer, B.

The breakdown performance of CMS barrel module prototype detectors and test devices with single and multi-guard structures were studied before and after neutron irradiation up to 2.10(14) 1 MeV equivalent neutrons. Before irradiation avalanche breakdown occurred at the guard ring implant edges. We measured 100-300 V higher breakdown voltage values for the devices with multi-guard than for devices with single-guard ring. After irradiation and type inversion the breakdown was smoother than before irradiation and the breakdown voltage value increased to 500-600 V for most of the devices.

High-voltage breakdown studies on Si microstrip detectors / S. Albergo;M. M. Angarano;P. Azzi;E. Babucci;N. Bacchetta;A. Bader;G. Bagliesi;A. Basti;U. Biggeri;G. M. Bilei;D. Bisello;D. Boemi;F. Bosi;L. Borrello;C. Bozzi;S. Braibant;H. Breuker;M. Bruzzi;A. Buffini;S. Busoni;G. Calefato;A. Candelori;A. Caner;R. Castaldi;A. Castro;E. Catacchini;B. Checcucci;P. Ciampolini;C. Civinini;D. Creanza;R. D'Alessandro;M. D. Rold;N. Demaria;M. d. Palma;R. Dell'Orso;R. D. Marina;S. Dutta;C. Eklund;A. Elliott-Peisert;L. Feld;L. Fiore;E. Focardi;M. French;K. Freudenreich;A. Furtjes;A. Giassi;M. Giorgi;A. Giraldo;B. Glessing;W. H. Gu;G. Hall;R. Hammerstrom;T. Hebbeker;J. Hrubec;M. Huhtinen;A. Kaminsky;V. Karimaki;S. Koenig;M. Krammer;P. Lariccia;M. Lenzi;M. Loreti;K. Luebelsmeyer;W. Lustermann;P. Mattig;G. Maggi;M. Mannelli;G. Mantovani;A. Marchioro;C. Mariotti;G. Martignon;B. M. Evoy;M. Meschini;A. Messineo;S. My;A. Paccagnella;F. Palla;D. Pandoulas;A. Papi;G. Parrini;D. Passeri;M. Pieri;S. Piperov;R. Potenza;V. Radicci;F. Raffaelli;M. Raymond;A. Santocchia;B. Schmitt;G. Selvaggi;L. Servoli;G. Sguazzoni;R. Siedling;L. Silvestris;K. Skog;A. Starodumov;I. Stavitski;G. Stefanini;P. Tempesta;G. Tonelli;A. Tricomi;T. Tuuva;C. Vannini;P. G. Verdini;G. Viertel;Z. Xie;Y. H. Li;S. Watts;B. Wittmer. - In: NUOVO CIMENTO. A. - ISSN 0369-3546. - ELETTRONICO. - 112:(1999), pp. 1271-1283.