A new technique of large-area thin ion implanted silicon detectors has been developed within the R&D performed by the FAZIA Collaboration. The essence of the technique is the application of a low temperature baking process instead of high-temperature annealing.
Low-temperature technique of thin silicon ion implanted epitaxial detectors / Kordyasz, A.J; Le Neindre, N.; Parlog, M.; Casini, G.; Bougault, R.; Poggi, G.; Bednarek, A.; Kowalczyk, M.; Lopez, O.; Merrer, Y.; Vient, E.; Frankland, J.D.; Bonnet, E.; Chbihi, A.; Gruyer, D.; Borderie, B.; Ademard, G.; Edelbruck, P.; Rivet, M.F.; Salomon, F.; Bini, M.; Valdré, S.; Scarlini, E.; Pasquali, G.; Pastore, G.; Piantelli, S.; Stefanini, A.; Olmi, A.; Barlini, S.; Boiano, A.; Rosato, E.; Meoli, A.; Ordine, A.; Spadaccini, G.; Tortone, G.; Vigilante, M.; Vanzanella, E.; Bruno, M.; Serra, S.; Morelli, L.; Guerzoni, M.; Alba, R.; Santonocito, D.; Maiolino, C.; Cinausero, M.; Gramegna, F.; Marchi, T.; Kozik, T.; Kulig, P.; Twaróg, T.; Sosin, Z.; Ga̧sior, K.; Grzeszczuk, A.; Zipper, W.; Sarnecki, J.; Lipiński, D.; Wodzińska, H.; Brzozowski, A.; Teodorczyk, M.; Gajewski, M.; Zagojski, A.; Krzyżak, K.; Tarasiuk, K.J.; Khabanowa, Z.; Kordyasz, Ł.. - In: THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL. A, HADRONS AND NUCLEI. - ISSN 1434-6001. - ELETTRONICO. - 51:(2015), pp. 0-0. [10.1140/epja/i2015-15015-2]
Low-temperature technique of thin silicon ion implanted epitaxial detectors
POGGI, GIACOMO;BINI, MAURIZIO;VALDRE', SIMONE;SCARLINI, ENRICO;PASQUALI, GABRIELE;STEFANINI, ANDREA;OLMI, ALESSANDRO;BARLINI, SANDRO;
2015
Abstract
A new technique of large-area thin ion implanted silicon detectors has been developed within the R&D performed by the FAZIA Collaboration. The essence of the technique is the application of a low temperature baking process instead of high-temperature annealing.File | Dimensione | Formato | |
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