Temperature activated coupling in topologically distinct semiconductor nanostructures.

Temperature activated coupling in topologically distinct semiconductor nanostructures / Biccari, F.; Bietti, S.; Cavigli, L.; Vinattieri, A.; Nötzel, R.; Gurioli, M.; Sanguinetti, S.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - STAMPA. - 120:(2016), pp. 134312-1-134312-6. [10.1063/1.4963718]

Temperature activated coupling in topologically distinct semiconductor nanostructures

BICCARI, FRANCESCO;VINATTIERI, ANNA;GURIOLI, MASSIMO;
2016

Abstract

Temperature activated coupling in topologically distinct semiconductor nanostructures.
2016
120
134312-1
134312-6
Biccari, F.; Bietti, S.; Cavigli, L.; Vinattieri, A.; Nötzel, R.; Gurioli, M.; Sanguinetti, S.
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
25_Biccari_9-2016.pdf

Accesso chiuso

Tipologia: Pdf editoriale (Version of record)
Licenza: Tutti i diritti riservati
Dimensione 1.76 MB
Formato Adobe PDF
1.76 MB Adobe PDF   Richiedi una copia

I documenti in FLORE sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificatore per citare o creare un link a questa risorsa: https://hdl.handle.net/2158/1067396
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 4
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 2
social impact