Paper concerning the modelling of power switching devices for applications related to automotive industry

Analytical Model of Power MOSFET Switching Losses due to Parasitic Components / Locorotondo, Edoardo; Pugi, Luca; Corti, Fabio; Becchi, Lorenzo; Grasso, Francesco. - ELETTRONICO. - (2019), pp. 331-336. ((Intervento presentato al convegno 2019 IEEE 5th International forum on Research and Technology for Society and Industry (RTSI) tenutosi a Firenze, italy nel 9-12 Settembre 2019 [10.1109/RTSI.2019.8895562].

Analytical Model of Power MOSFET Switching Losses due to Parasitic Components

Locorotondo, Edoardo;Pugi, Luca;Corti, Fabio;Becchi, Lorenzo;Grasso, Francesco
2019

Abstract

Paper concerning the modelling of power switching devices for applications related to automotive industry
2019 IEEE 5th International forum on Research and Technology for Society and Industry (RTSI)
2019 IEEE 5th International forum on Research and Technology for Society and Industry (RTSI)
Firenze, italy
9-12 Settembre 2019
Locorotondo, Edoardo; Pugi, Luca; Corti, Fabio; Becchi, Lorenzo; Grasso, Francesco
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Descrizione: Paper sulla modellazione di semiconduttori utilizzati in varie tipologie di azionamenti automotive
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