Characterization of energy levels related to impurities in epitaxial 4H-SiC ion implanted p+n junctions / DAVID MENICHELLI; MONICA SCARINGELLA; FRANCESCO MOSCATELLI; M. BRUZZI; ROBERTA NIPOTI. - In: DIAMOND AND RELATED MATERIALS. - ISSN 0925-9635. - STAMPA. - 16:(2007), pp. 6-11.

Characterization of energy levels related to impurities in epitaxial 4H-SiC ion implanted p+n junctions

MENICHELLI, DAVID;SCARINGELLA, MONICA;BRUZZI, MARA;
2007

2007
16
6
11
DAVID MENICHELLI; MONICA SCARINGELLA; FRANCESCO MOSCATELLI; M. BRUZZI; ROBERTA NIPOTI
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in FLORE sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificatore per citare o creare un link a questa risorsa: https://hdl.handle.net/2158/203098
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 5
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 5
social impact