Reduction of the internal electric field in GaN/AlN quantum dots grown on the a-plane of SiC substrates / GARRO N.; CROS A.; BUDAGOSKY J. A.; CANTARERO A.; VINATTIERI A.; M. GURIOLI; FOUNTA S.; MARIETTE H.; DAUDIN B.. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI C. - ISSN 1610-1634. - STAMPA. - 2:(2005), pp. 3851-3854. [10.1002/pssc.200562014]

Reduction of the internal electric field in GaN/AlN quantum dots grown on the a-plane of SiC substrates

VINATTIERI, ANNA;GURIOLI, MASSIMO;
2005

2005
2
3851
3854
GARRO N.; CROS A.; BUDAGOSKY J. A.; CANTARERO A.; VINATTIERI A.; M. GURIOLI; FOUNTA S.; MARIETTE H.; DAUDIN B.
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