Electrical characteristics of heavily doped NTD Ge at very low temperatures / BARUCCI M; BEEMAN J; OLIVIERI E; PASCA E; RISEGARI L; G. VENTURA. - In: PHYSICA. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0921-4526. - STAMPA. - 368:(2005), pp. 139-142. [10.1016/j.physb.2005.07.008]

Electrical characteristics of heavily doped NTD Ge at very low temperatures

BARUCCI, MARCO;VENTURA, GUGLIELMO
2005

2005
368
139
142
BARUCCI M; BEEMAN J; OLIVIERI E; PASCA E; RISEGARI L; G. VENTURA
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