Temperature dependence of the effective mobility edge and recombination dynamics of free and localized excitons in InGaP/GaAs quantum wells / RUDAMAS C.; MARTINEZ-PASTOR J.; GONZALEZ L.; A. VINATTIERI; COLOCCI M.. - In: PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. - ISSN 1386-9477. - STAMPA. - 17:(2003), pp. 206-206.

Temperature dependence of the effective mobility edge and recombination dynamics of free and localized excitons in InGaP/GaAs quantum wells

VINATTIERI, ANNA;COLOCCI, MARCELLO
2003

2003
17
206
206
RUDAMAS C.; MARTINEZ-PASTOR J.; GONZALEZ L.; A. VINATTIERI; COLOCCI M.
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