Optical investigation of interface roughness and defect incorporation in GaAs/AlGaAs quantum well grown with and without growth interruption / M.GURIOLI; A. VINATTIERI; M.COLOCCI; A.BOSACCHI; S.FRANCHI. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 59:(1991), pp. 2150-2152.

Optical investigation of interface roughness and defect incorporation in GaAs/AlGaAs quantum well grown with and without growth interruption

GURIOLI, MASSIMO;VINATTIERI, ANNA;COLOCCI, MARCELLO;
1991

1991
59
2150
2152
M.GURIOLI; A. VINATTIERI; M.COLOCCI; A.BOSACCHI; S.FRANCHI
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
APL91.pdf

Accesso chiuso

Tipologia: Versione finale referata (Postprint, Accepted manuscript)
Licenza: Tutti i diritti riservati
Dimensione 424.8 kB
Formato Adobe PDF
424.8 kB Adobe PDF   Richiedi una copia

I documenti in FLORE sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificatore per citare o creare un link a questa risorsa: https://hdl.handle.net/2158/257245
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 20
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 18
social impact