Charge transport properties of undoped Si LEC GaAs solid state detectors / S.B.Beaumont;R. Bertin; C.N. Booth;M.Bruzzi;C.Buttar; L.Carraresi; F.Cindolo; M.Colocci;F.H. Combley;S. D'Auria;S.De Gennaro;C. del-Papa; M.Dogru; M.Edwards; F.Fiori.; F.Foster; A.Francescato; Y. Hou; P.Houston.; B.K.Jones; J.G.Lynch; B.Lisowski; J.Matheson; F.Nava; M.Nuti; V.O'Shea; P.G.Pelfer; M.Pischedda;C.Raine;J. Santana; I.J.Saunders;P.H. Seller; I.O.Skillicorn; T.Sloan; K.M.Smith; N.Tartoni; I.Ten-Have; R.M.Turnbull;U. Vanni;A. Vinattieri; A.Zichichi.. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - STAMPA. - 326:(1993), pp. 313-318.
Charge transport properties of undoped Si LEC GaAs solid state detectors
BRUZZI, MARA;CARRARESI, LUCA;COLOCCI, MARCELLO;DE GENNARO, SILVIO;PELFER, PIERGIOVANNI;VINATTIERI, ANNA;
1993
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