Measurement of the doping homogeneity of silicon detectors as a function of the impact point in a typical experimental configuration
In-beam measurements of silicon detector homogeneity via PulseShape Analysis / L.Bardelli; M.Benelli; M.Bini; G.Casini; A.Nannini; A.Olmi; G.Pasquali; S.Piantelli; G.Poggi; A.Stefanini; F.Gramegna; V.L.Kravchuk; M.Bruno; M.D'Agostino; P.Marini; A.Ordine; E.Rosato; M.Vigilante; S.Barlini; M.F.Rivet; R.Berjillos; J.A.Duenas; A.Kordyasz. - STAMPA. - (2008), pp. 209-210. (Intervento presentato al convegno Laboratori Nazionali di Legnaro (LNL) Annual Report 2007).
In-beam measurements of silicon detector homogeneity via PulseShape Analysis
BARDELLI, LUIGI;M. Benelli;BINI, MAURIZIO;CASINI, GIOVANNI;OLMI, ALESSANDRO;PASQUALI, GABRIELE;POGGI, GIACOMO;STEFANINI, ANDREA;BARLINI, SANDRO;
2008
Abstract
Measurement of the doping homogeneity of silicon detectors as a function of the impact point in a typical experimental configuration
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