Space charge sign inversion investigation in n-type MCz silicon diodes irradiated by 24 GeV/c and 26 MeV protons and reactor neutrons / N. Manna, D. Bassignana, M. Boscardin, L. Borrello, M. Bruzzi, D. Creanza, M. de Palma, V. Eremin, A. Macchiolo, D. Menichelli, A. Messineo, V. Radicci, M. Scaringella, E. Verbiskaya. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - STAMPA. - 583:(2007), pp. 87-90.

Space charge sign inversion investigation in n-type MCz silicon diodes irradiated by 24 GeV/c and 26 MeV protons and reactor neutrons

BRUZZI, MARA;MENICHELLI, DAVID;SCARINGELLA, MONICA;
2007
2007
583
87
90
N. Manna; D. Bassignana; M. Boscardin; L. Borrello; M. Bruzzi; D. Creanza; M. de Palma; V. Eremin; A. Macchiolo; D. Menichelli; A. Messineo; V. Radicc...espandi
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