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A large use of silicon microstrip detectors is foreseen for the intermediate part of the CMS tracker. A specific research and development program has been carried out with the aim of finding design layouts and technological solutions for allowing silicon microstrip detectors to be reliably used on a high radiation level environment. As a result of this work single sided, AC-coupled, polysilicon biased, 300 μm thick, p+ on n substrate detectors were chosen. Irradiation tests have been performed on prototypes up to fluence 2×1014 n/cm2. The detector performances do not significantly change if the detectors are biased well above the depletion voltage. S/N is reduced by less than 20%, still enough to insure a good efficiency and space resolution. Multiguard structures has been developed in order to reach high voltage operation (above 500 V).
Test results of heavily irradiated Si detectors / S Albergo, P Azzi, E Babucci, N Bacchetta, A Bader, G Bagliesi, P Bartalini, A Basti, U Biggeri, G.M Bilei, D Bisello, D Boemi, F Bosi, L Borrello, C Bozzi, H Breuker, M Bruzzi, A Candelori, A Caner, R Castaldi, et al.. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - ELETTRONICO. - 422:(1999), pp. 238-241. [10.1016/S0168-9002(98)01101-2]
A large use of silicon microstrip detectors is foreseen for the intermediate part of the CMS tracker. A specific research and development program has been carried out with the aim of finding design layouts and technological solutions for allowing silicon microstrip detectors to be reliably used on a high radiation level environment. As a result of this work single sided, AC-coupled, polysilicon biased, 300 μm thick, p+ on n substrate detectors were chosen. Irradiation tests have been performed on prototypes up to fluence 2×1014 n/cm2. The detector performances do not significantly change if the detectors are biased well above the depletion voltage. S/N is reduced by less than 20%, still enough to insure a good efficiency and space resolution. Multiguard structures has been developed in order to reach high voltage operation (above 500 V).
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
