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The breakdown performance of CMS barrel module prototype detectors and test devices with single and multi-guard structures were studied before and after neutron irradiation up to 2.10(14) 1 MeV equivalent neutrons. Before irradiation avalanche breakdown occurred at the guard ring implant edges. We measured 100-300 V higher breakdown voltage values for the devices with multi-guard than for devices with single-guard ring. After irradiation and type inversion the breakdown was smoother than before irradiation and the breakdown voltage value increased to 500-600 V for most of the devices.
High-voltage breakdown studies on Si microstrip detectors / S. Albergo, M. M. Angarano, P. Azzi, E. Babucci, N. Bacchetta, A. Bader, G. Bagliesi, A. Basti, U. Biggeri, G. M. Bilei, D. Bisello, D. Boemi, F. Bosi, L. Borrello, C. Bozzi, S. Braibant, H. Breuker, M. Bruzzi, A. Buffini, S. Busoni, et al.. - In: NUOVO CIMENTO. A. - ISSN 0369-3546. - ELETTRONICO. - 112:(1999), pp. 1271-1283.
High-voltage breakdown studies on Si microstrip detectors
The breakdown performance of CMS barrel module prototype detectors and test devices with single and multi-guard structures were studied before and after neutron irradiation up to 2.10(14) 1 MeV equivalent neutrons. Before irradiation avalanche breakdown occurred at the guard ring implant edges. We measured 100-300 V higher breakdown voltage values for the devices with multi-guard than for devices with single-guard ring. After irradiation and type inversion the breakdown was smoother than before irradiation and the breakdown voltage value increased to 500-600 V for most of the devices.
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
