Thermally Stimulated Currents analysis of the shallow levels in irradiated silicon detectors / BORCHI E.; M. BRUZZI; LI Z.; PIROLLO S.. - In: JOURNAL OF PHYSICS D. APPLIED PHYSICS. - ISSN 0022-3727. - STAMPA. - 33:(2000), pp. 299-304.

Thermally Stimulated Currents analysis of the shallow levels in irradiated silicon detectors

BORCHI, EMILIO;BRUZZI, MARA;
2000

2000
33
299
304
BORCHI E.; M. BRUZZI; LI Z.; PIROLLO S.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in FLORE sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificatore per citare o creare un link a questa risorsa: https://hdl.handle.net/2158/203077
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 6
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 6
social impact